8050U-D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 8050U-D  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 typ pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 8050U-D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

8050U-D даташит

 ..1. Size:232K  semtech
 8050u-c 8050u-d.pdf pdf_icon

8050U-D

8050U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Symbol Value Unit Parameter Collector Base Voltage VCBO 40 V Collector Emitter Voltage VCEO 25 V Emitter Base Voltage VEBO 6 V Collector Current IC 1.5 A Power Dissipation Ptot 625 m

Другие транзисторы: 2SC1815G, 2SC4379U-O, 2SC4379U-Y, 2SC4672U-H4031, 8050B, 8050D, 8050E, 8050U-C, D667, 8550B, 8550D, 8550E, 9012I, 9013I, 9014A, 9014B, 9014C