Биполярный транзистор 8050U-D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 8050U-D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9(typ) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: SOT89
8050U-D Datasheet (PDF)
8050u-c 8050u-d.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
8050U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Symbol Value UnitParameter Collector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 6 VCollector Current IC 1.5 APower Dissipation Ptot 625 m
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .