MMBT9012H-H35 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MMBT9012H-H35  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 230

Корпус транзистора: TO236

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MMBT9012H-H35

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT9012H-H35 даташит

 ..1. Size:120K  semtech
 mmbt9012h-h35.pdf pdf_icon

MMBT9012H-H35

MMBT9012H-H35 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. TO-236 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current -IC 500 mA Power Dissipation Ptot 200 mW Junction Temperature Tj 150

 3.1. Size:120K  semtech
 mmbt9012h-h23.pdf pdf_icon

MMBT9012H-H35

MMBT9012H-H23 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. TO-236 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current -IC 500 mA Power Dissipation Ptot 200 mW O Junction Temperature Tj 150 C

 5.1. Size:173K  semtech
 mmbt9012g mmbt9012h.pdf pdf_icon

MMBT9012H-H35

MMBT9012 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current -IC 500 mA Power Dissipation Ptot 200 mW O Junction Temperature Tj 150 C O

 5.2. Size:1743K  pjsemi
 mmbt9012g mmbt9012h.pdf pdf_icon

MMBT9012H-H35

MMBT9012 PNP Transistor Features SOT-23 For Switching and AF Amplifer Applications. Equivalent Circuit 1.Base 2.Emitter 3.Collector 3.Collector Marking Code MMBT9012G K2 1.Base MMBT9012H K3 2. Emitter . Absolute Maximum Ratings Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified. Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V 40 V CBO Collec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 9018G, BCX56-10U, BCX56-16U, MMBT3331, MMBT5401-HAF, MMBT8050CW, MMBT8050DW, MMBT9012H-H23, C5198, MMBT9013G, MMBT9013H, MMBT9013H-H23, MMBT9014B, MMBT9014C, MMBT9014C1, MMBT9014D, MMBT9015B