Справочник транзисторов. MMBT9012H-H35

 

Биполярный транзистор MMBT9012H-H35 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MMBT9012H-H35
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 230
   Корпус транзистора: TO236
 

 Аналог (замена) для MMBT9012H-H35

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBT9012H-H35 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  semtech
 mmbt9012h-h35.pdf pdf_icon

MMBT9012H-H35

MMBT9012H-H35 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. TO-236 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current -IC 500 mA Power Dissipation Ptot 200 mWJunction Temperature Tj 150

 3.1. Size:120K  semtech
 mmbt9012h-h23.pdf pdf_icon

MMBT9012H-H35

MMBT9012H-H23 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. TO-236 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current -IC 500 mA Power Dissipation Ptot 200 mWOJunction Temperature Tj 150 C

 5.1. Size:173K  semtech
 mmbt9012g mmbt9012h.pdf pdf_icon

MMBT9012H-H35

MMBT9012 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors for switching and amplifier applications. TO-236 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current -IC 500 mA Power Dissipation Ptot 200 mWOJunction Temperature Tj 150 C O

 5.2. Size:1743K  pjsemi
 mmbt9012g mmbt9012h.pdf pdf_icon

MMBT9012H-H35

MMBT9012 PNP Transistor Features SOT-23 For Switching and AF Amplifer Applications.Equivalent Circuit 1.Base 2.Emitter 3.Collector3.CollectorMarking Code : MMBT9012G : K2 1.BaseMMBT9012H : K32. Emitter.Absolute Maximum Ratings Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -V 40 VCBOCollec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SC4199 | 2SC4132R | L2SC1623QLT1G

 

 
Back to Top

 


 
.