MMBTSA733R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MMBTSA733R

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для MMBTSA733R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MMBTSA733R даташит

 ..1. Size:149K  semtech
 mmbtsa733r mmbtsa733o mmbtsa733y mmbtsa733p mmbtsa733l.pdf pdf_icon

MMBTSA733R

MMBTSA733 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the NPN transistor MMBTSC945 is recommended. TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO

 8.1. Size:187K  semtech
 mmbtsa1504o mmbtsa1504y mmbtsa1504g.pdf pdf_icon

MMBTSA733R

MMBTSA1504 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor For switching and general purpose applications. The transistor is subdivided into three groups O, Y and G, according to its DC current gain. TO-236 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 50 V Collector Emitter Voltage -VCEO 50 V Emitter Base Voltage -VEBO

 8.2. Size:345K  semtech
 mmbtsa812o mmbtsa812y mmbtsa812g mmbtsa812l.pdf pdf_icon

MMBTSA733R

MMBTSA812 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for audio frequency, general purpose amplifier. The transistor is subdivided into four groups O, Y, G and L, according to its DC current gain. 1.Base 2.Emitter 3.Collector SOT-23 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 60 V Collector Emitter Voltage -VCEO 5

 8.3. Size:739K  cn cbi
 mmbtsa1576w.pdf pdf_icon

MMBTSA733R

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor The transistor is subdivided into three groups Q, R and S according to its DC current gain. O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 60 V Collector Emitter Voltage -VCEO 50 V Emitter Base Voltage -VEBO 6 V Collector Current -IC 150 mA Power Dissipation Ptot 200 mW O Junction Temperatur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MMBTRC108SS, MMBTRC109SS, MMBTSA1504G, MMBTSA1504O, MMBTSA1504Y, MMBTSA733L, MMBTSA733O, MMBTSA733P, BC327, MMBTSA733Y, MMBTSA812G, MMBTSA812L, MMBTSA812O, MMBTSA812Y, MMBTSC1623G, MMBTSC1623L, MMBTSC1623O