Биполярный транзистор MMBTSA812L Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MMBTSA812L
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT23
MMBTSA812L Datasheet (PDF)
mmbtsa812o mmbtsa812y mmbtsa812g mmbtsa812l.pdf

MMBTSA812 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for audio frequency, general purpose amplifier. The transistor is subdivided into four groups O, Y, G and L, according to its DC current gain. 1.Base 2.Emitter 3.CollectorSOT-23 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 60 V Collector Emitter Voltage -VCEO 5
mmbtsa1504o mmbtsa1504y mmbtsa1504g.pdf

MMBTSA1504 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor For switching and general purpose applications. The transistor is subdivided into three groups O, Y and G, according to its DC current gain. TO-236 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 50 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO
mmbtsa733r mmbtsa733o mmbtsa733y mmbtsa733p mmbtsa733l.pdf

MMBTSA733 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the NPN transistor MMBTSC945 is recommended. TO-236 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO
mmbtsa1576w.pdf

PNP Silicon Epitaxial Planar TransistorThe transistor is subdivided into three groups Q, R and S according to its DC current gain. OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO 6 VCollector Current -IC 150 mAPower Dissipation Ptot 200 mW OJunction Temperatur
Другие транзисторы... MMBTSA1504O , MMBTSA1504Y , MMBTSA733L , MMBTSA733O , MMBTSA733P , MMBTSA733R , MMBTSA733Y , MMBTSA812G , MJE340 , MMBTSA812O , MMBTSA812Y , MMBTSC1623G , MMBTSC1623L , MMBTSC1623O , MMBTSC1623Y , MMBTSC1815G , MMBTSC1815L .
History: BDT29CF | CMPT6427



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb681 | bc639 equivalent | bd138 transistor equivalent | c1096 transistor | c1345 transistor | jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet