Справочник транзисторов. MMBTSA812L

 

Биполярный транзистор MMBTSA812L - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MMBTSA812L
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для MMBTSA812L

 

 

MMBTSA812L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:345K  semtech
mmbtsa812o mmbtsa812y mmbtsa812g mmbtsa812l.pdf

MMBTSA812L MMBTSA812L

MMBTSA812 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for audio frequency, general purpose amplifier. The transistor is subdivided into four groups O, Y, G and L, according to its DC current gain. 1.Base 2.Emitter 3.CollectorSOT-23 Plastic Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 60 V Collector Emitter Voltage -VCEO 5

 8.1. Size:187K  semtech
mmbtsa1504o mmbtsa1504y mmbtsa1504g.pdf

MMBTSA812L MMBTSA812L

MMBTSA1504 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor For switching and general purpose applications. The transistor is subdivided into three groups O, Y and G, according to its DC current gain. TO-236 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 50 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO

 8.2. Size:149K  semtech
mmbtsa733r mmbtsa733o mmbtsa733y mmbtsa733p mmbtsa733l.pdf

MMBTSA812L MMBTSA812L

MMBTSA733 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications. The transistor is subdivided into five groups R, O, Y, P and L, according to its DC current gain. As complementary type the NPN transistor MMBTSC945 is recommended. TO-236 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO

 8.3. Size:739K  cn cbi
mmbtsa1576w.pdf

MMBTSA812L MMBTSA812L

PNP Silicon Epitaxial Planar TransistorThe transistor is subdivided into three groups Q, R and S according to its DC current gain. OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 60 VCollector Emitter Voltage -VCEO 50 VEmitter Base Voltage -VEBO 6 VCollector Current -IC 150 mAPower Dissipation Ptot 200 mW OJunction Temperatur

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , BC557 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top