Справочник транзисторов. ST2SD1664U-P

 

Биполярный транзистор ST2SD1664U-P - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: ST2SD1664U-P
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
   Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для ST2SD1664U-P

 

 

ST2SD1664U-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:391K  semtech
st2sd1664u-p st2sd1664u-q st2sd1664u-r.pdf

ST2SD1664U-P
ST2SD1664U-P

ST 2SD1664U NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 32 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - DC IC 1 A Collector Current - Pulse 1) ICP 2 A 0.5 Ptot W Total Power Dissipation2 2) Junction Temperature TJ 150 Storage Te

 4.1. Size:560K  semtech
st2sd1664u.pdf

ST2SD1664U-P
ST2SD1664U-P

ST 2SD1664U NPN SILICON EPITAXIAL MEDIUM POWER TRANSISTOR Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 32 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - DC IC 1 A Collector Current - Pulse 1) ICP 2 A 0.5 Ptot W Total Power Dissipation2 2) Junction Temperature TJ 150 Storage Te

 7.1. Size:350K  semtech
st2sd1691t.pdf

ST2SD1664U-P

ST 2SD1691T NPN Silicon Epitaxial Power Transistor For Low-Frequencey Power Amplifiers and Mid-Speed Switching The transistor is subdivided into three groups, M, L and K, according to its DC-DC current gain. ECBTO-126 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Symbol Value UnitParameter VCBO 60 VCollector to Base Voltage VCEO 60 VCollector to Emitter

 8.1. Size:551K  semtech
st2sd1760u.pdf

ST2SD1664U-P
ST2SD1664U-P

ST 2SD1760U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Power Transistor Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 60 VCollector Emitter Voltage VCEO 45 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current - DC IC 3 A Collector Current - Pulse 1) ICP 4.5 PC 1 WCollector Power Dissipation Junction Temperature TJ 150 Stor

 8.2. Size:531K  semtech
st2sd1766u.pdf

ST2SD1664U-P
ST2SD1664U-P

ST 2SD1766U NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor Medium power amplifier Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage VCBO 40 VCollector Emitter Voltage VCEO 32 VEmitter Base Voltage VEBO 5 VCollector Current IC 2 APeak Collector Current (Single pulse, Pw = 20 ms) ICP 2.5 A0.5 Collector Power Dissipation PC W 2 1) Junction T

 8.3. Size:476K  semtech
st2sd1163a.pdf

ST2SD1664U-P
ST2SD1664U-P

ST 2SD1163A NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor for TV horizontal deflection output applications TO-220 Plastic PackageOAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit350 VCollector Base Voltage VCBO 150 VCollector Emitter Voltage VCEO 6 VEmitter Base Voltage VEBO 7 ACollector Current IC 10 ACollector Peak Current ICP 20 ACollector Surge

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , 13007 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top