MRF536. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MRF536
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.3 max pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: MACRO-X
Аналоги (замена) для MRF536
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MRF536 даташит
Другие транзисторы: MMBTSC945O, MMBTSC945P, MMBTSC945R, MMBTSC945Y, ST2SD1664U-P, ST2SD1664U-Q, ST2SD1664U-R, MRF534, 2SB817, MRF0211LT1, MRF1000MA, MRF10070, MRF1029, MRF1030, MRF1031, MRF1032, MRF1035MA
History: MRF1000MA
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet

