Справочник транзисторов. MRF2947RAT1

 

Биполярный транзистор MRF2947RAT1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF2947RAT1
   Маркировка: XR
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.188 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.42 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: SOT363
 

 Аналог (замена) для MRF2947RAT1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF2947RAT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  motorola
 mrf2947at1 mrf2947at2 mrf2947rat1 mrf2947rat2.pdf pdf_icon

MRF2947RAT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF2947/DThe RF LineNPN SiliconMRF2947AT1,T2MRF2947RAT1,T2Low Noise TransistorsMotorolas MRF2947 device contains two high performance, lownoise NPNsilicon bipolar transistors. This device has two 941 die housed in the highperformance six leaded SC70ML package; yielding a 9 GHz currentgainbandwidth prod

 6.1. Size:181K  motorola
 mrf2947rev0.pdf pdf_icon

MRF2947RAT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF2947/DThe RF LineNPN SiliconMRF2947AT1,T2MRF2947RAT1,T2Low Noise TransistorsMotorolas MRF2947 device contains two high performance, lownoise NPNsilicon bipolar transistors. This device has two 941 die housed in the highperformance six leaded SC70ML package; yielding a 9 GHz currentgainbandwidth prod

Другие транзисторы... MRF15090 , MRF16030 , MRF2000-5L , MRF20030 , MRF20060 , MRF20060S , MRF2947AT1 , MRF2947AT2 , TIP32C , MRF2947RAT2 , MRF3094 , MRF3095 , MRF3096 , MRF3104 , MRF3105 , MRF3106 , MRF338 .

 

 
Back to Top

 


 
.