Справочник транзисторов. MRF2947RAT1

 

Биполярный транзистор MRF2947RAT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MRF2947RAT1
   Маркировка: XR
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.188 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.42 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
   Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для MRF2947RAT1

 

 

MRF2947RAT1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:181K  motorola
mrf2947at1 mrf2947at2 mrf2947rat1 mrf2947rat2.pdf

MRF2947RAT1
MRF2947RAT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF2947/DThe RF LineNPN SiliconMRF2947AT1,T2MRF2947RAT1,T2Low Noise TransistorsMotorolas MRF2947 device contains two high performance, lownoise NPNsilicon bipolar transistors. This device has two 941 die housed in the highperformance six leaded SC70ML package; yielding a 9 GHz currentgainbandwidth prod

 6.1. Size:181K  motorola
mrf2947rev0.pdf

MRF2947RAT1
MRF2947RAT1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF2947/DThe RF LineNPN SiliconMRF2947AT1,T2MRF2947RAT1,T2Low Noise TransistorsMotorolas MRF2947 device contains two high performance, lownoise NPNsilicon bipolar transistors. This device has two 941 die housed in the highperformance six leaded SC70ML package; yielding a 9 GHz currentgainbandwidth prod

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top