MRF2947RAT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MRF2947RAT1

Маркировка: XR

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.188 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.42 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 75

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для MRF2947RAT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF2947RAT1 даташит

 ..1. Size:181K  motorola
 mrf2947at1 mrf2947at2 mrf2947rat1 mrf2947rat2.pdf pdf_icon

MRF2947RAT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF2947/D The RF Line NPN Silicon MRF2947AT1,T2 MRF2947RAT1,T2 Low Noise Transistors Motorola s MRF2947 device contains two high performance, low noise NPN silicon bipolar transistors. This device has two 941 die housed in the high performance six leaded SC 70ML package; yielding a 9 GHz current gain bandwidth prod

 6.1. Size:181K  motorola
 mrf2947rev0.pdf pdf_icon

MRF2947RAT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF2947/D The RF Line NPN Silicon MRF2947AT1,T2 MRF2947RAT1,T2 Low Noise Transistors Motorola s MRF2947 device contains two high performance, low noise NPN silicon bipolar transistors. This device has two 941 die housed in the high performance six leaded SC 70ML package; yielding a 9 GHz current gain bandwidth prod

Другие транзисторы: MRF15090, MRF16030, MRF2000-5L, MRF20030, MRF20060, MRF20060S, MRF2947AT1, MRF2947AT2, 431, MRF2947RAT2, MRF3094, MRF3095, MRF3096, MRF3104, MRF3105, MRF3106, MRF338