Биполярный транзистор MRF6404K Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MRF6404K
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 24 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1880 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: CASE395C-01
Аналог (замена) для MRF6404K
MRF6404K Datasheet (PDF)
mrf6404 mrf6404k.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF6404/DThe RF LineMRF6404NPN SiliconMRF6404KRF Power TransistorThe MRF6404 is designed for 26 volts microwave large signal, commonemitter, class AB linear amplifier applications operating in the range 1.8 to30 W, 1.88 GHz2.0 GHz.RF POWER TRANSISTOR Specified 26 Volts, 1.88 GHz Characteristics NPN SILICON
mrf6404rev2.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF6404/DThe RF LineMRF6404NPN SiliconMRF6404KRF Power TransistorThe MRF6404 is designed for 26 volts microwave large signal, commonemitter, class AB linear amplifier applications operating in the range 1.8 to30 W, 1.88 GHz2.0 GHz.RF POWER TRANSISTOR Specified 26 Volts, 1.88 GHz Characteristics NPN SILICON
mrf6404.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF6404/DThe RF LineMRF6404NPN SiliconRF Power TransistorThe MRF6404 is designed for 26 volts microwave large signal, commonemitter, class AB linear amplifier applications operating in the range 1.8 to30 W, 1.88 GHz2.0 GHz.RF POWER TRANSISTOR Specified 26 Volts, 1.88 GHz Characteristics NPN SILICONOutput Po
mrf6404r.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF6404/DThe RF LineMRF6404NPN SiliconRF Power TransistorThe MRF6404 is designed for 26 volts microwave large signal, commonemitter, class AB linear amplifier applications operating in the range 1.8 to30 W, 1.88 GHz2.0 GHz.RF POWER TRANSISTOR Specified 26 Volts, 1.88 GHz Characteristics NPN SILICONOutput Po
Другие транзисторы... MRF557 , MRF5583 , MRF559 , MRF5812 , MRF5811LT1 , MRF5943 , MRF6402 , MRF6404 , AC125 , MRF6408 , MRF6409 , MRF653S , MRF837 , MRF8372R1 , MRF8372R2 , MRF847 , MRF857 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor