MRF6404K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MRF6404K
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 24 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1880 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: CASE395C-01
MRF6404K Datasheet (PDF)
mrf6404 mrf6404k.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF6404/D The RF Line MRF6404 NPN Silicon MRF6404K RF Power Transistor The MRF6404 is designed for 26 volts microwave large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications operating in the range 1.8 to 30 W, 1.88 GHz 2.0 GHz. RF POWER TRANSISTOR Specified 26 Volts, 1.88 GHz Characteristics NPN SILICON
mrf6404rev2.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF6404/D The RF Line MRF6404 NPN Silicon MRF6404K RF Power Transistor The MRF6404 is designed for 26 volts microwave large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications operating in the range 1.8 to 30 W, 1.88 GHz 2.0 GHz. RF POWER TRANSISTOR Specified 26 Volts, 1.88 GHz Characteristics NPN SILICON
mrf6404.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF6404/D The RF Line MRF6404 NPN Silicon RF Power Transistor The MRF6404 is designed for 26 volts microwave large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications operating in the range 1.8 to 30 W, 1.88 GHz 2.0 GHz. RF POWER TRANSISTOR Specified 26 Volts, 1.88 GHz Characteristics NPN SILICON Output Po
mrf6404r.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF6404/D The RF Line MRF6404 NPN Silicon RF Power Transistor The MRF6404 is designed for 26 volts microwave large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications operating in the range 1.8 to 30 W, 1.88 GHz 2.0 GHz. RF POWER TRANSISTOR Specified 26 Volts, 1.88 GHz Characteristics NPN SILICON Output Po
Другие транзисторы... MRF557 , MRF5583 , MRF559 , MRF5812 , MRF5811LT1 , MRF5943 , MRF6402 , MRF6404 , 2N5551 , MRF6408 , MRF6409 , MRF653S , MRF837 , MRF8372R1 , MRF8372R2 , MRF847 , MRF857 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor





