MRF6404K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MRF6404K  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 24 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1880 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 38 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: CASE395C-01

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MRF6404K

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF6404K даташит

 ..1. Size:276K  motorola
 mrf6404 mrf6404k.pdf pdf_icon

MRF6404K

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF6404/D The RF Line MRF6404 NPN Silicon MRF6404K RF Power Transistor The MRF6404 is designed for 26 volts microwave large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications operating in the range 1.8 to 30 W, 1.88 GHz 2.0 GHz. RF POWER TRANSISTOR Specified 26 Volts, 1.88 GHz Characteristics NPN SILICON

 7.1. Size:276K  motorola
 mrf6404rev2.pdf pdf_icon

MRF6404K

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF6404/D The RF Line MRF6404 NPN Silicon MRF6404K RF Power Transistor The MRF6404 is designed for 26 volts microwave large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications operating in the range 1.8 to 30 W, 1.88 GHz 2.0 GHz. RF POWER TRANSISTOR Specified 26 Volts, 1.88 GHz Characteristics NPN SILICON

 7.2. Size:228K  motorola
 mrf6404.pdf pdf_icon

MRF6404K

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF6404/D The RF Line MRF6404 NPN Silicon RF Power Transistor The MRF6404 is designed for 26 volts microwave large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications operating in the range 1.8 to 30 W, 1.88 GHz 2.0 GHz. RF POWER TRANSISTOR Specified 26 Volts, 1.88 GHz Characteristics NPN SILICON Output Po

 7.3. Size:228K  motorola
 mrf6404r.pdf pdf_icon

MRF6404K

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF6404/D The RF Line MRF6404 NPN Silicon RF Power Transistor The MRF6404 is designed for 26 volts microwave large signal, common emitter, class AB linear amplifier applications operating in the range 1.8 to 30 W, 1.88 GHz 2.0 GHz. RF POWER TRANSISTOR Specified 26 Volts, 1.88 GHz Characteristics NPN SILICON Output Po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF557, MRF5583, MRF559, MRF5812, MRF5811LT1, MRF5943, MRF6402, MRF6404, 2N5551, MRF6408, MRF6409, MRF653S, MRF837, MRF8372R1, MRF8372R2, MRF847, MRF857