Биполярный транзистор MRF847 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MRF847
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 38 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16.5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 870 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: CASE319-07
Аналог (замена) для MRF847
MRF847 Datasheet (PDF)
mrf847.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF847/DThe RF LineNPN SiliconMRF847RF Power Transistor. . . designed for 12.5 volt UHF largesignal, commonbase amplifier applica-tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of806960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics45 W, 870 MHzOutput Power = 45 WattsRF P
mrf847re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF847/DThe RF LineNPN SiliconMRF847RF Power Transistor. . . designed for 12.5 volt UHF largesignal, commonbase amplifier applica-tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of806960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics45 W, 870 MHzOutput Power = 45 WattsRF P
mrf842.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF842/DThe RF LineNPN SiliconMRF842RF Power Transistor. . . designed for 12.5 volt UHF largesignal, commonbase amplifier applica-tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of806960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics20 W, 870 MHzOutput Power = 20 WattsRF P
mrf844.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF844/DThe RF LineNPN SiliconMRF844RF Power Transistor. . . designed for 12.5 volt UHF largesignal, commonbase amplifier applica-tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of806960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics30 W, 870 MHzOutput Power = 30 WattsRF P
Другие транзисторы... MRF6404 , MRF6404K , MRF6408 , MRF6409 , MRF653S , MRF837 , MRF8372R1 , MRF8372R2 , 13007 , MRF857 , MRF858 , MRF858S , MRF859 , MRF859S , MRF860 , MRF861 , MRF862 .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet