Биполярный транзистор MRF847 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MRF847
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 38 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16.5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 870 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: CASE319-07
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MRF847 Datasheet (PDF)
mrf847.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF847/DThe RF LineNPN SiliconMRF847RF Power Transistor. . . designed for 12.5 volt UHF largesignal, commonbase amplifier applica-tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of806960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics45 W, 870 MHzOutput Power = 45 WattsRF P
mrf847re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF847/DThe RF LineNPN SiliconMRF847RF Power Transistor. . . designed for 12.5 volt UHF largesignal, commonbase amplifier applica-tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of806960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics45 W, 870 MHzOutput Power = 45 WattsRF P
mrf842.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF842/DThe RF LineNPN SiliconMRF842RF Power Transistor. . . designed for 12.5 volt UHF largesignal, commonbase amplifier applica-tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of806960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics20 W, 870 MHzOutput Power = 20 WattsRF P
mrf844.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF844/DThe RF LineNPN SiliconMRF844RF Power Transistor. . . designed for 12.5 volt UHF largesignal, commonbase amplifier applica-tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of806960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics30 W, 870 MHzOutput Power = 30 WattsRF P
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: BDY80C | 2SC410A | 2SC2965 | AC404 | 2N363 | FXT553SM | BF391P
History: BDY80C | 2SC410A | 2SC2965 | AC404 | 2N363 | FXT553SM | BF391P



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet