MRF847 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: MRF847 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 38 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16.5 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 870 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 75 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: CASE319-07
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для MRF847
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
MRF847 даташит
mrf847.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF847/D The RF Line NPN Silicon MRF847 RF Power Transistor . . . designed for 12.5 volt UHF large signal, common base amplifier applica- tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of 806 960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics 45 W, 870 MHz Output Power = 45 Watts RF P
mrf847re.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF847/D The RF Line NPN Silicon MRF847 RF Power Transistor . . . designed for 12.5 volt UHF large signal, common base amplifier applica- tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of 806 960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics 45 W, 870 MHz Output Power = 45 Watts RF P
mrf842.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF842/D The RF Line NPN Silicon MRF842 RF Power Transistor . . . designed for 12.5 volt UHF large signal, common base amplifier applica- tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of 806 960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics 20 W, 870 MHz Output Power = 20 Watts RF P
mrf844.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF844/D The RF Line NPN Silicon MRF844 RF Power Transistor . . . designed for 12.5 volt UHF large signal, common base amplifier applica- tions in industrial and commercial FM equipment operating in the range of 806 960 MHz. Specified 12.5 Volt, 870 MHz Characteristics 30 W, 870 MHz Output Power = 30 Watts RF P
Другие транзисторы: MRF6404, MRF6404K, MRF6408, MRF6409, MRF653S, MRF837, MRF8372R1, MRF8372R2, C5198, MRF857, MRF858, MRF858S, MRF859, MRF859S, MRF860, MRF861, MRF862
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
History: BCR112W | 2SC5521
🌐 : EN
ES
РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet








