Биполярный транзистор MRF859 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: MRF859
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.9 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 960 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13(min) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: CASE319-07
- подбор биполярного транзистора по параметрам
MRF859 Datasheet (PDF)
mrf859 mrf859s.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF859/DThe RF LineMRF859NPN SiliconMRF859SRF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, class A linearCLASS Aamplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the800960 MHzrange of 800 to 960 MHz.6.5 W (CW), 24 V Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0
mrf859re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF859/DThe RF LineMRF859NPN SiliconMRF859SRF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, class A linearCLASS Aamplifier applications in industrial and commercial equipment operating in the800960 MHzrange of 800 to 960 MHz.6.5 W (CW), 24 V Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0
mrf857rev3.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF857/DThe RF LineNPN SiliconMRF857SRF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, class A linearamplifier applications in industrial and commercial equipment operating in therange of 800960 MHz.CLASS A800960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.3 Adc Characteristics2.1
mrf858re.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF858/DThe RF LineMRF858NPN SiliconMRF858SRF Power TransistorDesigned for 24 Volt UHF largesignal, common emitter, class A linearamplifier applications in industrial and commercial equipment operating in therange of 800960 MHz.CLASS A800960 MHz Specified for VCE = 24 Vdc, IC = 0.5 Adc Characterist
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: SBC328 | 2SC1757E | D43C8 | CPH5520 | 2SC1727 | MP4051 | ZTX503M
History: SBC328 | 2SC1757E | D43C8 | CPH5520 | 2SC1727 | MP4051 | ZTX503M



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06 | кт630