MRF927T3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MRF927T3

Маркировка: F

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.33 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT323

 Аналоги (замена) для MRF927T3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF927T3 даташит

 ..1. Size:165K  motorola
 mrf927t1 mrf927t3.pdf pdf_icon

MRF927T3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF927T1/D The RF Small Signal Line MRF927T1 NPN Silicon Low Voltage, MRF927T3 Low Current, Low Noise, High-Frequency Transistors IC = 10 mA Designed for use in low voltage, low current applications at frequencies to LOW NOISE 2.0 GHz. Specifically aimed at portable communication devices such as HIGH FREQUENCY pagers an

 7.1. Size:165K  motorola
 mrf927t1rev1.pdf pdf_icon

MRF927T3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF927T1/D The RF Small Signal Line MRF927T1 NPN Silicon Low Voltage, MRF927T3 Low Current, Low Noise, High-Frequency Transistors IC = 10 mA Designed for use in low voltage, low current applications at frequencies to LOW NOISE 2.0 GHz. Specifically aimed at portable communication devices such as HIGH FREQUENCY pagers an

 7.2. Size:225K  motorola
 mrf927t1.pdf pdf_icon

MRF927T3

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MRF927T1/D The RF Small Signal Line MRF927T1 NPN Silicon Low Voltage, Low Current, Low Noise, High-Frequency Transistors IC = 10 mA Designed for use in low voltage, low current applications at frequencies to LOW NOISE 2.0 GHz. Specifically aimed at portable communication devices such as HIGH FREQUENCY pagers and hand h

 9.1. Size:295K  freescale
 mrf9210.pdf pdf_icon

MRF927T3

Document Number MRF9210 Freescale Semiconductor Rev. 6, 9/2008 Technical Data RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Designed for broadband commercial and industrial applications with fre MRF9210R3 quencies from 865 to 895 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large- signal, common source amplifier applicat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MRF880, MRF890, MRF892, MRF896, MRF898, MRF911, MRF917T1, MRF927T1, 2SD718, MRF949T1, MRF959T1, NT407F, 2SA812-M4, 2SA812-M5, 2SA812-M6, 2SA812-M7, BC807-16Q