Справочник транзисторов. MRF927T3

 

Биполярный транзистор MRF927T3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF927T3
   Маркировка: F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.33 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT323
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MRF927T3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  motorola
 mrf927t1 mrf927t3.pdf pdf_icon

MRF927T3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF927T1/DThe RF Small Signal LineMRF927T1NPN Silicon Low Voltage,MRF927T3Low Current, Low Noise,High-Frequency TransistorsIC = 10 mADesigned for use in low voltage, low current applications at frequencies toLOW NOISE2.0 GHz. Specifically aimed at portable communication devices such asHIGH FREQUENCYpagers an

 7.1. Size:165K  motorola
 mrf927t1rev1.pdf pdf_icon

MRF927T3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF927T1/DThe RF Small Signal LineMRF927T1NPN Silicon Low Voltage,MRF927T3Low Current, Low Noise,High-Frequency TransistorsIC = 10 mADesigned for use in low voltage, low current applications at frequencies toLOW NOISE2.0 GHz. Specifically aimed at portable communication devices such asHIGH FREQUENCYpagers an

 7.2. Size:225K  motorola
 mrf927t1.pdf pdf_icon

MRF927T3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF927T1/DThe RF Small Signal LineMRF927T1NPN Silicon Low Voltage,Low Current, Low Noise,High-Frequency TransistorsIC = 10 mADesigned for use in low voltage, low current applications at frequencies toLOW NOISE2.0 GHz. Specifically aimed at portable communication devices such asHIGH FREQUENCYpagers and handh

 9.1. Size:295K  freescale
 mrf9210.pdf pdf_icon

MRF927T3

Document Number: MRF9210Freescale SemiconductorRev. 6, 9/2008Technical DataRF Power Field Effect TransistorN-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETDesigned for broadband commercial and industrial applications with freMRF9210R3quencies from 865 to 895 MHz. The high gain and broadband performance ofthis device make it ideal for large- signal, common source amplifier applicat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BC807-40LT3G | HT400 | 2N5125 | D33J24 | FHT9012G-ME | BDY53 | KT8121A-2

 

 
Back to Top

 


 
.