Справочник транзисторов. MRF927T3

 

Биполярный транзистор MRF927T3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF927T3
   Маркировка: F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.33 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT323
 

 Аналог (замена) для MRF927T3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MRF927T3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  motorola
 mrf927t1 mrf927t3.pdf pdf_icon

MRF927T3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF927T1/DThe RF Small Signal LineMRF927T1NPN Silicon Low Voltage,MRF927T3Low Current, Low Noise,High-Frequency TransistorsIC = 10 mADesigned for use in low voltage, low current applications at frequencies toLOW NOISE2.0 GHz. Specifically aimed at portable communication devices such asHIGH FREQUENCYpagers an

 7.1. Size:165K  motorola
 mrf927t1rev1.pdf pdf_icon

MRF927T3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF927T1/DThe RF Small Signal LineMRF927T1NPN Silicon Low Voltage,MRF927T3Low Current, Low Noise,High-Frequency TransistorsIC = 10 mADesigned for use in low voltage, low current applications at frequencies toLOW NOISE2.0 GHz. Specifically aimed at portable communication devices such asHIGH FREQUENCYpagers an

 7.2. Size:225K  motorola
 mrf927t1.pdf pdf_icon

MRF927T3

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF927T1/DThe RF Small Signal LineMRF927T1NPN Silicon Low Voltage,Low Current, Low Noise,High-Frequency TransistorsIC = 10 mADesigned for use in low voltage, low current applications at frequencies toLOW NOISE2.0 GHz. Specifically aimed at portable communication devices such asHIGH FREQUENCYpagers and handh

 9.1. Size:295K  freescale
 mrf9210.pdf pdf_icon

MRF927T3

Document Number: MRF9210Freescale SemiconductorRev. 6, 9/2008Technical DataRF Power Field Effect TransistorN-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETDesigned for broadband commercial and industrial applications with freMRF9210R3quencies from 865 to 895 MHz. The high gain and broadband performance ofthis device make it ideal for large- signal, common source amplifier applicat

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... MRF880 , MRF890 , MRF892 , MRF896 , MRF898 , MRF911 , MRF917T1 , MRF927T1 , 2SC2073 , MRF949T1 , MRF959T1 , NT407F , 2SA812-M4 , 2SA812-M5 , 2SA812-M6 , 2SA812-M7 , BC807-16Q .

 

 
Back to Top

 


 
.