Биполярный транзистор MRF927T3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MRF927T3
Маркировка: F
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8000(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.33 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT323
MRF927T3 Datasheet (PDF)
mrf927t1 mrf927t3.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF927T1/DThe RF Small Signal LineMRF927T1NPN Silicon Low Voltage,MRF927T3Low Current, Low Noise,High-Frequency TransistorsIC = 10 mADesigned for use in low voltage, low current applications at frequencies toLOW NOISE2.0 GHz. Specifically aimed at portable communication devices such asHIGH FREQUENCYpagers an
mrf927t1rev1.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF927T1/DThe RF Small Signal LineMRF927T1NPN Silicon Low Voltage,MRF927T3Low Current, Low Noise,High-Frequency TransistorsIC = 10 mADesigned for use in low voltage, low current applications at frequencies toLOW NOISE2.0 GHz. Specifically aimed at portable communication devices such asHIGH FREQUENCYpagers an
mrf927t1.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF927T1/DThe RF Small Signal LineMRF927T1NPN Silicon Low Voltage,Low Current, Low Noise,High-Frequency TransistorsIC = 10 mADesigned for use in low voltage, low current applications at frequencies toLOW NOISE2.0 GHz. Specifically aimed at portable communication devices such asHIGH FREQUENCYpagers and handh
mrf9210.pdf
Document Number: MRF9210Freescale SemiconductorRev. 6, 9/2008Technical DataRF Power Field Effect TransistorN-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETDesigned for broadband commercial and industrial applications with freMRF9210R3quencies from 865 to 895 MHz. The high gain and broadband performance ofthis device make it ideal for large- signal, common source amplifier applicat
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS