Справочник транзисторов. MRF949T1

 

Биполярный транзистор MRF949T1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MRF949T1
   Маркировка: JL
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.144 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9000(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SC90
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

MRF949T1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  motorola
 mrf949t1.pdf pdf_icon

MRF949T1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF949T1/DThe RF LineMRF949T1NPN SiliconLow Noise TransistorsMotorolas MRF949 is a high performance NPN transistor designed for use inhigh gain, low noise smallsignal amplifiers. The MRF949 is well suited for low ICmax = 50 mAvoltage wireless applications. This device features a 9 GHz DC current LOW NOISEgain

 0.1. Size:166K  motorola
 mrf949t1rev0.pdf pdf_icon

MRF949T1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MRF949T1/DThe RF LineMRF949T1NPN SiliconLow Noise TransistorsMotorolas MRF949 is a high performance NPN transistor designed for use inhigh gain, low noise smallsignal amplifiers. The MRF949 is well suited for low ICmax = 50 mAvoltage wireless applications. This device features a 9 GHz DC current LOW NOISEgain

 9.1. Size:386K  motorola
 mrf941 mmbr941lt1 mrf9411lt1 mrf947.pdf pdf_icon

MRF949T1

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MMBR941LT1/DThe RF LineMMBR941NPN SiliconMRF941Low Noise, High-FrequencyMRF947TransistorsMRF9411Designed for use in high gain, low noise smallsignal amplifiers. This seriesfeatures excellent broadband linearity and is offered in a variety of packages.SERIES Fully Implanted Base and Emitter Structure

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: SD1224-02 | 2SC889 | MPS2484 | ECH8503-TL-H | BF321 | BD120 | ZTX614

 

 
Back to Top

 


 
.