L8550HQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: L8550HQ  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для L8550HQ

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L8550HQ даташит

 ..1. Size:978K  cn yongyutai
 l8550hq.pdf pdf_icon

L8550HQ

L8550HQ General Purpose Transistors PNP Silicon FEATURE COLLECTOR High current capacity in compact package. 3 Epitaxial planar type. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Max Unit Collector-Emitter Voltage V -25 V CEO Collector-Base Voltage VCBO -40 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collecto

 0.1. Size:84K  lrc
 l8550hplt1g l8550hqlt1g l8550hrlt1g l8550hslt1g.pdf pdf_icon

L8550HQ

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors L8550HPLT1G Series PNP Silicon S-L8550HPLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1 and Control Change Requir

 0.2. Size:85K  lrc
 l8550hqlt1g.pdf pdf_icon

L8550HQ

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors L8550HPLT1G Series PNP Silicon S-L8550HPLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1 and Control Change Requir

 0.3. Size:84K  lrc
 l8550hplt1g l8550hplt3g l8550hqlt1g l8550hqlt3g l8550hrlt1g l8550hrlt3g l8550hslt1g l8550hslt3g.pdf pdf_icon

L8550HQ

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors L8550HPLT1G Series PNP Silicon S-L8550HPLT1G FEATURE Series High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. PNP complement L8550H 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site 1 and Control Change Requir

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC3356-T93-R-K, 2SC4083PWT1G, 2SD1628-E, 2SD1628-F, 2SD1628-G, C945H, C945L, GT13003Y, 2SD1555, MMBT2222A-H, MMBT2222A-L, MMBT2907A-H, MMBT2907A-L, MMBT3904-H, MMBT3904J, MMBT3904-L, MMBT3906-H