SS8550H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SS8550H  📄📄 

Маркировка: Y2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 max pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для SS8550H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SS8550H даташит

 ..1. Size:891K  umw-ic
ss8550l ss8550h ss8550j.pdfpdf_icon

SS8550H

R UMW UMW SS8550 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors SS8550 TRANSISTOR (PNP) SOT-23 FEATURES High Collector Current Complementary to SS8050 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage -40 V CBO V Collector-Emitter Voltage -25 V CEO V Emitter-Base Voltage -5 V EB

 ..2. Size:501K  cn yfw
ss8550 ss8550l ss8550h ss8550j.pdfpdf_icon

SS8550H

SS8550 SOT-23 PNP Transistors 3 2 1.Base Features 2.Emitter Collector Current IC=-1.5A 1 3.Collector Simplified outline(SOT-23) Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -40 V Collector-Emitter Voltage VCEO -25 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Collector Current -Continuous IC -1.5 A Collector Power Dissipation PC 0.3 W Junc

 ..3. Size:2998K  cn yongyutai
ss8550l ss8550h ss8550j.pdfpdf_icon

SS8550H

SS8550 TRANSISTOR (PNP) SOT 23 FEATURES High Collector Current Complementary to SS8050 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 1. BASE Symbol Parameter Value Unit 2. EMITTER V Collector-Base Voltage -40 V CBO 3. COLLECTOR V Collector-Emitter Voltage -25 V CEO V Emitter-Base Voltage -5 V EBO IC Collector Current -1.5 A P Collector Power Diss

 ..4. Size:1048K  cn zre
ss8550l ss8550h ss8550j.pdfpdf_icon

SS8550H

SS8550 TRANSISTOR(PNP) SOT-23 SOT-23 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors Features SS8050 ; Complementary to SS8050 300mW; Power Dissipation of 300mW High Stability and High Reliability Mechanical Data SOT-23 SOT-23 Small Outline Plastic Package

Другие транзисторы: S9014-L, S9015-H, S9015-L, S9018-H, S9018-L, SS8050H, SS8050J, SS8050L, A733, SS8550J, SS8550L, SS8550-Y2-H, SS8550-Y2-J, SS8550-Y2-L, 29012H, 2SC4617Q, 2SC4617R