PXT8550D1 - описание и поиск аналогов

 

PXT8550D1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PXT8550D1

Маркировка: Y2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 max pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для PXT8550D1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PXT8550D1 даташит

 ..1. Size:11458K  cn twgmc
pxt8550c pxt8550d pxt8550d1 pxt8550d2.pdfpdf_icon

PXT8550D1

PXT8550 PXT8550 PXT8550 PXT8550 TRANSISTOR (PNP) SOT-89 FEATURES Compliment to PXT8050 MARKING Y2 1. BASE 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage -40 V CBO VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V V Emitter-Base Voltage -5 V EBO I Collector Current -Continuous -1.5 A C P Collector Power

 6.1. Size:280K  cn shikues
pxt8550c pxt8550d.pdfpdf_icon

PXT8550D1

PXT8550 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 25 V Emitter Base Voltage -VEBO 6 V Collector Current -IC 1.5 A Power Dissipation Ptot

 7.1. Size:325K  mcc
pxt8550-b-c-d-d3.pdfpdf_icon

PXT8550D1

M C C TM PXT8550-B Micro Commercial Components PXT8550-C Micro Commercial Components 20736 Marilla Street Chatsworth PXT8550-D CA 91311 Phone (818) 701-4933 PXT8550-D3 Fax (818) 701-4939 Features Halogen free available upon request by adding suffix "-HF" Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating PNP Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Marking Y2/8550 Plas

 7.2. Size:627K  jiangsu
pxt8550.pdfpdf_icon

PXT8550D1

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L PXT8550 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES Compliment to PXT8050 2. COLLECTOR MARKING Y2 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Bas

Другие транзисторы: B772Q, D882E, MMBT3904N3, MMBTH10A, MMBTH10B, MMBTH10C, PXT8050-D1, PXT8050-D2, 2SC945, PXT8550D2, S8550E, SEBC847BU, SEBC847CU, SEBT3904U, SEBT3906U, SEBT8050-C, SEBT8050-D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.