PXT8550D1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PXT8550D1
Маркировка: Y2
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 max pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для PXT8550D1
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PXT8550D1 даташит
pxt8550c pxt8550d pxt8550d1 pxt8550d2.pdf
PXT8550 PXT8550 PXT8550 PXT8550 TRANSISTOR (PNP) SOT-89 FEATURES Compliment to PXT8050 MARKING Y2 1. BASE 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value Unit V Collector-Base Voltage -40 V CBO VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V V Emitter-Base Voltage -5 V EBO I Collector Current -Continuous -1.5 A C P Collector Power
pxt8550c pxt8550d.pdf
PXT8550 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 25 V Emitter Base Voltage -VEBO 6 V Collector Current -IC 1.5 A Power Dissipation Ptot
pxt8550-b-c-d-d3.pdf
M C C TM PXT8550-B Micro Commercial Components PXT8550-C Micro Commercial Components 20736 Marilla Street Chatsworth PXT8550-D CA 91311 Phone (818) 701-4933 PXT8550-D3 Fax (818) 701-4939 Features Halogen free available upon request by adding suffix "-HF" Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating PNP Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Marking Y2/8550 Plas
pxt8550.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L PXT8550 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES Compliment to PXT8050 2. COLLECTOR MARKING Y2 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Bas
Другие транзисторы: B772Q, D882E, MMBT3904N3, MMBTH10A, MMBTH10B, MMBTH10C, PXT8050-D1, PXT8050-D2, 2SC945, PXT8550D2, S8550E, SEBC847BU, SEBC847CU, SEBT3904U, SEBT3906U, SEBT8050-C, SEBT8050-D
History: 2SB1161 | 2SB1112
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet








