Справочник транзисторов. PXT8550D1

 

Биполярный транзистор PXT8550D1 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PXT8550D1
   Маркировка: Y2
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20(max) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для PXT8550D1

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PXT8550D1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:11458K  cn twgmc
pxt8550c pxt8550d pxt8550d1 pxt8550d2.pdfpdf_icon

PXT8550D1

PXT8550PXT8550PXT8550 PXT8550 TRANSISTOR (PNP)SOT-89FEATURESCompliment to PXT8050 MARKING: Y21. BASE 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)3. EMITTER Symbol Parameter Value UnitV Collector-Base Voltage -40 VCBOVCEO Collector-Emitter Voltage -25 VV Emitter-Base Voltage -5 VEBOI Collector Current -Continuous -1.5 ACP Collector Power

 6.1. Size:280K  cn shikues
pxt8550c pxt8550d.pdfpdf_icon

PXT8550D1

PXT8550PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications. Especially suitable for AF-driver stages and low power output stages. OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 25 VEmitter Base Voltage -VEBO 6 VCollector Current -IC 1.5 APower Dissipation Ptot

 7.1. Size:325K  mcc
pxt8550-b-c-d-d3.pdfpdf_icon

PXT8550D1

M C CTMPXT8550-BMicro Commercial Components PXT8550-CMicro Commercial Components20736 Marilla Street ChatsworthPXT8550-DCA 91311Phone: (818) 701-4933PXT8550-D3Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix "-HF" Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating PNP Silicon Moisture Sensitivity Level 1 Marking:Y2/8550Plas

 7.2. Size:627K  jiangsu
pxt8550.pdfpdf_icon

PXT8550D1

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L PXT8550 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES Compliment to PXT8050 2. COLLECTOR MARKING: Y2 3. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Bas

Другие транзисторы... B772Q , D882E , MMBT3904N3 , MMBTH10A , MMBTH10B , MMBTH10C , PXT8050-D1 , PXT8050-D2 , 2SC2655 , PXT8550D2 , S8550E , SEBC847BU , SEBC847CU , SEBT3904U , SEBT3906U , SEBT8050-C , SEBT8050-D .

History: 2SA1291 | BC212L

 

 
Back to Top

 


 
.