Биполярный транзистор SEBC847BU - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: SEBC847BU
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SC70
Аналоги (замена) для SEBC847BU
SEBC847BU Datasheet (PDF)
..1. Size:200K cn sino-ic
sebc847bu sebc847cu.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
sebc847bu sebc847cu.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SHANGHAI June 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SEBC847BU/SEBC847CU NPN General Purpose Transistor Revision:A External dimensions (Units : mm) Features BVCEO
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2SA1015 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .