SEBC847BU. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SEBC847BU
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 typ MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: SC70
Аналоги (замена) для SEBC847BU
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
SEBC847BU даташит
sebc847bu sebc847cu.pdf
SHANGHAI June 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SEBC847BU/SEBC847CU NPN General Purpose Transistor Revision A External dimensions (Units mm) Features BVCEO
Другие транзисторы: MMBTH10A, MMBTH10B, MMBTH10C, PXT8050-D1, PXT8050-D2, PXT8550D1, PXT8550D2, S8550E, S9013, SEBC847CU, SEBT3904U, SEBT3906U, SEBT8050-C, SEBT8050-D, SEBT818BA, SEBT9012, SEBT9013
History: 2N5998 | 2N5231 | 2SD1161P6 | XS101 | 2SB1094 | 2SD1160O | 2SB1091
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n

