Биполярный транзистор SEBC847BU Даташит. Аналоги
Наименование производителя: SEBC847BU
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SC70
Аналог (замена) для SEBC847BU
SEBC847BU Datasheet (PDF)
sebc847bu sebc847cu.pdf

SHANGHAI June 2009 MICROELECTRONICS CO., LTD. SEBC847BU/SEBC847CU NPN General Purpose Transistor Revision:A External dimensions (Units : mm) Features BVCEO
Другие транзисторы... MMBTH10A , MMBTH10B , MMBTH10C , PXT8050-D1 , PXT8050-D2 , PXT8550D1 , PXT8550D2 , S8550E , 2SB817 , SEBC847CU , SEBT3904U , SEBT3906U , SEBT8050-C , SEBT8050-D , SEBT818BA , SEBT9012 , SEBT9013 .
History: BC537
History: BC537



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n