SEBT3904U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SEBT3904U  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 max pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для SEBT3904U

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SEBT3904U даташит

 ..1. Size:158K  cn sino-ic
 sebt3904u.pdf pdf_icon

SEBT3904U

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONCS CO., LTD. SEBT3904U NPN switching transistor Features Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 40 V). Applications Telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION NPN switching transistor in a SOT323 plastic package PNP complement SEBT3906U. Absolute maximum ratings (Ta=25 ) CONDITIO Par

 7.1. Size:157K  cn sino-ic
 sebt3906u.pdf pdf_icon

SEBT3904U

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONCS CO., LTD. SEBT3906 U PNP switching transistor Features Low current (max. 100 mA). Low voltage (max. 40 V). Applications Telephony and professional communication equipment. DESCRIPTION PNP switching transistor in a SOT323 plastic package NPN complement SEBT3904U. Absolute maximum ratings (Ta=25 ) CONDITIO Par

Другие транзисторы: MMBTH10C, PXT8050-D1, PXT8050-D2, PXT8550D1, PXT8550D2, S8550E, SEBC847BU, SEBC847CU, 2SC945, SEBT3906U, SEBT8050-C, SEBT8050-D, SEBT818BA, SEBT9012, SEBT9013, SEBT9014, SEBT9015