SEBT8050-D - описание и поиск аналогов

 

SEBT8050-D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SEBT8050-D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 typ MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT23 TO92

 Аналоги (замена) для SEBT8050-D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SEBT8050-D даташит

 ..1. Size:509K  cn sino-ic
 sebt8050-c sebt8050-d.pdf pdf_icon

SEBT8050-D

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SEB T8050 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR Features Complementary to SEBT8050 Applications HIGH CURRENT APPLICATION Construction Maximum Ratings (Ta=25 ) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Base Voltage VCBO 35 V Collector-Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC mA

 9.1. Size:225K  cn sino-ic
 sebt818ba.pdf pdf_icon

SEBT8050-D

SHANGHAI June 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. Revision A SEBT818BA HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR DESCRIPTION Features The device is manufactured in low voltage PNP VERY LOW COLLECTOR EMITTER Planar Technology by using a "Base Island" SATURATION VOLTAGE layout. DC CURRENT GAIN>100(hPE) The resulting Transistor shows exceptional high 3 A CONTINUOUS COLLECTOR

Другие транзисторы: PXT8550D1, PXT8550D2, S8550E, SEBC847BU, SEBC847CU, SEBT3904U, SEBT3906U, SEBT8050-C, 2N4401, SEBT818BA, SEBT9012, SEBT9013, SEBT9014, SEBT9015, SEBT9016, SEBT9018, SS8050B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.