Справочник транзисторов. SEBT8050-D

 

Биполярный транзистор SEBT8050-D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: SEBT8050-D
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120(typ) MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT23 TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

SEBT8050-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  cn sino-ic
 sebt8050-c sebt8050-d.pdf pdf_icon

SEBT8050-D

SHANGHAI June 2006 MICROELECTRONICS CO., LTD. SEB T8050 EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR Features Complementary to SEBT8050Applications HIGH CURRENT APPLICATION Construction Maximum Ratings (Ta=25) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Base Voltage VCBO 35 V Collector-Emitter Voltage VCEO 30 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC mA

 9.1. Size:225K  cn sino-ic
 sebt818ba.pdf pdf_icon

SEBT8050-D

SHANGHAI June 2008 MICROELECTRONICS CO., LTD. Revision:A SEBT818BA HIGH GAIN LOW VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR DESCRIPTION Features The device is manufactured in low voltage PNP VERY LOW COLLECTOR EMITTER Planar Technology by using a "Base Island" SATURATION VOLTAGE layout. DC CURRENT GAIN>100(hPE) The resulting Transistor shows exceptional high 3 A CONTINUOUS COLLECTOR

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BFG93AX | 2SC889 | MPS2484 | ECH8503-TL-H | BF321 | BD120 | ZTX614

 

 
Back to Top

 


 
.