SS8550W-J - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор SS8550W-J - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: SS8550W-J
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20(max) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SOT323

Аналоги (замена) для SS8550W-J

SS8550W-J Datasheet (PDF)

..1. Size:5661K cn twgmc
ss8550w-l ss8550w-h ss8550w-j.pdf

SS8550WSS8550WSS8550WSS8550WTRANSISTOR(PNP)SS8 550 W SOT323 3FEATURES Complimentary to SS8050W 1. BASE 12. EMITTER 23. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage -40 VVCEO Collector-Emitter Voltage -25 VVEBO Emitter-Base Voltage -5 VIC Collector Current -Continuous -1.5 APC

0.1. Size:187K mcc
mmss8550w-j.pdf

MMSS8550W-LMCCMicro Commercial Components MMSS8550W-HTM20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311MMSS8550W-JPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"PNP Silicon Case Material:Molded Plastic. UL FlammabilityClassificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1 Marking:Y2 Plasti

6.1. Size:187K mcc
mmss8550w-h.pdf