Справочник транзисторов. TS13005CK

 

Биполярный транзистор TS13005CK Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: TS13005CK
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO126
 

 Аналог (замена) для TS13005CK

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TS13005CK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:374K  taiwansemi
ts13005ck.pdfpdf_icon

TS13005CK

TS13005CK Taiwan Semiconductor High Voltage NPN Transistor FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low spread of dynamic parameters PARAMETER VALUE UNIT High switching speed BVCEO 400 V Low base drive requirement BVCBO 700 V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in IC 3 A accordance to WEEE 2002/96/EC. Halogen-free according to IEC 61249-2-21 VCE

 6.1. Size:361K  taiwansemi
ts13005ci-cz.pdfpdf_icon

TS13005CK

TS13005 High Voltage NPN Transistor TO-220 ITO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 1A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing

 7.1. Size:364K  taiwansemi
ts13005 b07.pdfpdf_icon

TS13005CK

TS13005 High Voltage NPN Transistor TO-220 ITO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 1A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing

 8.1. Size:190K  taiwansemi
ts13002a.pdfpdf_icon

TS13005CK

TS13002A High Voltage NPN Transistor TO-92 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 2. Collector BVCEO 400V 3. Base BVCBO 700V IC 0.3A VCE(SAT) 1.5V @ IC / IB = 200mA / 20mA Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing

Другие транзисторы... SS8050E , SS8550C , SS8550D , SS8550E , SS8550W-H , SS8550W-J , SS8550W-L , TP5001P3 , TIP32C , WT955 , 2SA1015H , 2SA73H , 2SA73L , S9012J , S9018L , 2SC3080 , 2SD661A .

 

 
Back to Top

 


 
.