TS13005CK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TS13005CK  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TS13005CK

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TS13005CK даташит

 ..1. Size:374K  taiwansemi
ts13005ck.pdfpdf_icon

TS13005CK

TS13005CK Taiwan Semiconductor High Voltage NPN Transistor FEATURES KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low spread of dynamic parameters PARAMETER VALUE UNIT High switching speed BVCEO 400 V Low base drive requirement BVCBO 700 V Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in IC 3 A accordance to WEEE 2002/96/EC. Halogen-free according to IEC 61249-2-21 VCE

 6.1. Size:361K  taiwansemi
ts13005ci-cz.pdfpdf_icon

TS13005CK

TS13005 High Voltage NPN Transistor TO-220 ITO-220 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 1A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing

 7.1. Size:364K  taiwansemi
ts13005 b07.pdfpdf_icon

TS13005CK

TS13005 High Voltage NPN Transistor TO-220 ITO-220 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Base BVCEO 400V 2. Collector 3. Emitter BVCBO 700V IC 4A VCE(SAT) 1V @ IC / IB = 4A / 1A Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing

 8.1. Size:190K  taiwansemi
ts13002a.pdfpdf_icon

TS13005CK

TS13002A High Voltage NPN Transistor TO-92 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Emitter 2. Collector BVCEO 400V 3. Base BVCBO 700V IC 0.3A VCE(SAT) 1.5V @ IC / IB = 200mA / 20mA Features Block Diagram High Voltage High Speed Switching Structure Silicon Triple Diffused Type NPN Silicon Transistor Ordering Information Part No. Package Packing

Другие транзисторы: SS8050E, SS8550C, SS8550D, SS8550E, SS8550W-H, SS8550W-J, SS8550W-L, TP5001P3, 431, WT955, 2SA1015H, 2SA73H, 2SA73L, S9012J, S9018L, 2SC3080, 2SD661A