WT955 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: WT955  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 110 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для WT955

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

WT955 даташит

 ..1. Size:587K  way-on
 wt955.pdf pdf_icon

WT955

Document W14010002, Rev E WT955 5 PNP Silicon Transistor Features 4 Amps Continuous Current (10 Amps Peak Current) Extremely Low Saturation Voltages Excellent Gain Characteristics Specified Up to 3A Ptot = 3W Mechanical Characteristics SOT-223 Package SOT-223 Marking Marking Code RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration C E B C

Другие транзисторы: SS8550C, SS8550D, SS8550E, SS8550W-H, SS8550W-J, SS8550W-L, TP5001P3, TS13005CK, C3198, 2SA1015H, 2SA73H, 2SA73L, S9012J, S9018L, 2SC3080, 2SD661A, 2SD662B