Справочник транзисторов. 2SA1015H

 

Биполярный транзистор 2SA1015H Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1015H
   Маркировка: BA
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7(max) pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для 2SA1015H

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1015H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  umw-ic
2sa1015l 2sa1015h.pdfpdf_icon

2SA1015H

RUMW UMW 2SA1015 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSI STOR (PNP)2SA1015MARKING: Equivalent Circuit:SOT-231.BASE2.EMITTER3.COLLECTORFEATURES: High voltage and high current Excellent hFE Linearity Complementary to C1815 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitCollector-Base Voltage VCBO -50 VCollector-Emit

 7.1. Size:227K  toshiba
2sa1015.pdfpdf_icon

2SA1015H

2SA1015 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1015 Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit: mm Driver Stage Amplifier Applications High voltage and high current: VCEO = -50 V (min), I = -150 mA (max) C Excellent h linearity: h = 80 (typ.) at V = -6 V, I = -150 mA FE FE (2) CE C: hFE (IC = -0.1 mA)/hFE (IC = -2 mA) = 0.95

 7.2. Size:228K  toshiba
2sa1015l.pdfpdf_icon

2SA1015H

2SA1015(L) TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1015(L) Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Low Noise Amplifier Applications High voltage and high current: VCEO = -50 V (min), I = -150 mA (max) C Excellent h linearity: h (2) = 80 (typ.) at V = -6 V, I = -150 mA FE FE CE C: hFE (IC = -0.1 mA)/hFE (IC = -2 mA) = 0.95 (typ.)

 7.3. Size:504K  mcc
2sa1015-gr.pdfpdf_icon

2SA1015H

2SA1015-OMCCMicro Commercial ComponentsTM2SA1015-Y20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 913112SA1015-GRPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939Features Capable of 0.4Watts of Power Dissipation.PNP Silicon Collector-current 0.15A Collector-base Voltage 50VPlastic-Encapsulate Operating and storage junction temperature range: -

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SA376

 

 
Back to Top

 


 
.