Биполярный транзистор D965-KEHE - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: D965-KEHE
Маркировка: D9CU
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 42 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 22 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 340
Корпус транзистора: TO126
Аналоги (замена) для D965-KEHE
D965-KEHE Datasheet (PDF)
d965-kehe d9cu.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Guangdong Province Jieyang Kehe Electronic Industrial Co., Ltd.TO-126 Plastic-Encapsulate TransistorsD965 TRANSISTORNPNFEATURESPower dissipationWTamb=25PCM : 0.75Collector currentICM : 5 ACollector-base voltageV(BR)CBO : 42 VELECTRICAL CHARACTERISTICSTamb=25 specifiedunless otherwiseParameter Symbol Test conditions MIN TYP MAX UNITIc=1mA
d965-r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MCCMicro Commercial ComponentsTMD965-T20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311D965-RPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesNPN Power Dissipation: PCM=0.75W @ Tamb=25 Collector Current: ICM=5APlastic-Encapsulate Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Moisure Sensitivity Level 1 Transistors Marking: D965T/R
d965-t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MCCMicro Commercial ComponentsTMD965-T20736 Marilla Street ChatsworthMicro Commercial ComponentsCA 91311D965-RPhone: (818) 701-4933Fax: (818) 701-4939FeaturesNPN Power Dissipation: PCM=0.75W @ Tamb=25 Collector Current: ICM=5APlastic-Encapsulate Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating Moisure Sensitivity Level 1 Transistors Marking: D965T/R
2sd965-q.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Product specification2SD965-QUnit:mmSOT-891.50 0.14.500.11.800.1 Features Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory operation performances at high efficiency with 1 2 3the low-voltage power supply.0.440.10.480.1 0.530.13.000.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating
2sd965-r 2sd965-s.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
2SD965TRANSISTOR (NPN) SOT-89FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage 1. BASE Large Collector Power Dissipation and Current 2. COLLECTOR Mini Power Type Package 3. EMITTER D: 965MARKINGMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage 42 V VCEO Collector-Emitter Voltage 22 V VEBO Emitter-Base
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
![D965-KEHE](https://alltransistors.com/images/us.png)
![D965-KEHE](https://alltransistors.com/images/es.png)
![D965-KEHE](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ