Биполярный транзистор CD8050D - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CD8050D
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20(max) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: TO92
CD8050D Datasheet (PDF)
..1. Size:816K 1
cd8050b cd8050c cd8050d.pdf
cd8050b cd8050c cd8050d.pdf
Continental Device India Pvt. LimitedAn IATF 16949, ISO9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTORS CD8050TO-92Leaded PackageRoHS compliantABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 OC)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 40 VCollector -Emitter Voltage VCEO 25 VEmitter Base Voltage VEBO 6 VCollector Current IC 2 ACollector Power Dissipat
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
