Биполярный транзистор BA15P26B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BA15P26B
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 260 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 260 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 600(max) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 75
Корпус транзистора: TO-3PB TO3PL
BA15P26B Datasheet (PDF)
ba15n26b ba15p26b.pdf
Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistor R BA15N26B(NPN) BA15P26B(PNP) APPLICATIONS High fidelity audio amplifier and other linear applications FEATURES V =260V (min) High collector voltageV =260V (min) CEO CEONPN-PNP Complementary NPN
ba15n26a ba15p26a.pdf
Power Amplifier Applications Bipolar Transistortor RBA15N26A BA15P26A APPLICATIONS High fidelity audio amplifier Series Regulator General Purpose FEATURES V =260V (min) High collector voltageV =260V (
ba15n23a ba15p23a.pdf
Power Amplifier Applications Bipolar Transistortors RBA15N23A BA15P23A APPLICATIONS High fidelity audio amplifier Series Regulator General Purpose FEATURES V =230V (min) High collector voltageV =230V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
