Биполярный транзистор BM8N08A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BM8N08A
Маркировка: 8N08A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: DPAK SOT223
BM8N08A Datasheet (PDF)
..1. Size:677K jilin sino
bm8n08a.pdf
bm8n08a.pdf
NPN NPN SILICON TRANSISTORS RBM8N08A APPLICATIONS shunt and switching regulators output and driver stages of amplifiers operating at 1MHz frequencies from DC to greater than 1MHz low and high frequency inverters/converters
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050