BP4N45S - описание и поиск аналогов

 

BP4N45S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BP4N45S

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO126 TO220

 Аналоги (замена) для BP4N45S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BP4N45S даташит

 ..1. Size:573K  jilin sino
 bp4n45s.pdf pdf_icon

BP4N45S

NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R BP4N45S MAIN CHARACTERISTICS Package I 4A C V 450V CEO P (TO-126) 40W C P (TO-220C) 75W C TO-126 TO-220C APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ballasts High frequency switching

Другие транзисторы: BM05P06A, BM05P06B, BM1P40A, BM3P03A, BM8N08A, BP15N98T, BP18N98S, BP4N38S, 2222A, C4977, HM8050, HM8550, HMA6801, HMBT9014H, HMBT9014L, HMC6802, HS8050

 

 

 

 

↑ Back to Top
.