Биполярный транзистор HSS8550 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HSS8550
Маркировка: Y.2
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: SOT23
HSS8550 Datasheet (PDF)
..1. Size:253K cn haohai electr
hs8550 hs8550a hm8550 hmbt8550 hss8550 hma6801.pdf
hs8550 hs8550a hm8550 hmbt8550 hss8550 hma6801.pdf
HMBT8550PNP-TRANSISTORPNP, 8550 PNP PNP Plastic-Encapsulate Transistors SMDHS8550, HS8550AHM8550, HMBT8550High breakdown voltageLow collector-emitter saturation voltageHSS8550, HMA6801Complementary to HMBT8050Transistor Polarity: PNP
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ