HSS8550 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HSS8550  📄📄 

Маркировка: Y.2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для HSS8550

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HSS8550 даташит

 ..1. Size:253K  cn haohai electr
 hs8550 hs8550a hm8550 hmbt8550 hss8550 hma6801.pdf pdf_icon

HSS8550

HMBT8550 PNP-TRANSISTOR PNP, 8550 PNP PNP Plastic-Encapsulate Transistors SMD HS8550, HS8550A HM8550, HMBT8550 High breakdown voltage Low collector-emitter saturation voltage HSS8550, HMA6801 Complementary to HMBT8050 Transistor Polarity PNP

Другие транзисторы: HS8050, HS8050A, HS8550, HS8550A, HSA1037AKQ, HSA1037AKR, HSA1037AKS, HSS8050, 2SC828, 2SA1015-H, 2SA1015-L, 2SB772-E, 2SB772-P, 2SB772-Q, 2SC3356-R23, 2SC3356-R24, 2SC3356-R26