Биполярный транзистор 2SA200-Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA200-Y
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200(typ) MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SA200-Y Datasheet (PDF)
2sa200-y 2sa200-o.pdf

ST 2SA200 PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for general purpose and switching amplifier The transistor is subdivided into two group, O and Y according to its DC current gain. 1. Emitter 2. Collector 3. Base TO-92 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit60 VCollector Base Voltage -VCBO 50 VCollector Emitter Voltage -VCEO
2sa2007.pdf

2SA2007TransistorsHigh-speed Switching Transistor (-60V,-12A)2SA2007 External dimensions (Units : mm) Features1) High switching speed.10.0 4.5(Typ. tf = 0.15s at Ic = -6A)3.2 2.8 2) Low saturation voltage.(Typ. VCE(sat) = -0.2V at IC / IB = -6A / -0.3A)3) Wide SOA. (safe operating area)1.21.34) Complements the 2SC5526.0.8( )(1) Base Gate0.752.54 2.5
2sa2005.pdf

2SA2005TransistorsHigh-voltage Switching(Audio output amplifier transistor,TV velocity modulation transistor)(-160V, -1.5A)2SA2005 Features External dimensions (Units : mm)1) Flat DC current gain characteristics.2) High breakdown voltage. (BVCEO = -160V)10.0 4.53) High fT. (Typ. 150MHz)3.2 2.8 4) Wide SOA (safe operating area).5) Complements the 2SC5511.1.21.
2sa2004.pdf

Power Transistors2SA2004Silicon PNP epitaxial planar typeUnit: mm4.60.2For power amplification 9.90.32.90.2 3.20.1 Features High forward current transfer ratio hFE Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE Dielectric breakdown voltage of the package: > 5 kV High-speed switching1.40.22.60.11.60.20.80.1 0.550.15
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .



Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050