1702. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 1702
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 110
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 1702
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
1702 даташит
2sa1702.pdf
Ordering number EN3091 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1702 High-Current Switching Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes. unit mm Low saturation votlage. 2064 Large current capacity. [2SA1702] Fast switching speed. E Emitter C Collector B Base SANYO NMP Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25 C
2sd1702.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD1702 SOT-89 Unit mm 1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=0.8A Collector Emitter Voltage VCEO=50V 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 50 Collector - Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter - Base Voltage VE
Другие транзисторы... 16606 , 1664 , 16656 , 16668 , 16810 , 16811 , 16924 , 1701 , 2SC5198 , 17322 , 17323 , 17375 , 17389 , 17390 , 17391 , 17484 , 17520 .
History: 16029
History: 16029
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor






