Биполярный транзистор 1702 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 1702
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
1702 Datasheet (PDF)
2sa1702.pdf

Ordering number:EN3091PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA1702High-Current Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes.unit:mm Low saturation votlage.2064 Large current capacity.[2SA1702] Fast switching speed.E : EmitterC : CollectorB : BaseSANYO : NMPSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25C
2sd1702.pdf

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD1702SOT-89Unit:mm1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=0.8A Collector Emitter Voltage VCEO=50V0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 50 Collector - Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter - Base Voltage VE
Другие транзисторы... 16606 , 1664 , 16656 , 16668 , 16810 , 16811 , 16924 , 1701 , KTB688 , 17322 , 17323 , 17375 , 17389 , 17390 , 17391 , 17484 , 17520 .
History: GES5856 | 109T2 | 2SA1338-7 | 2N1377 | TIP122F | 16924 | MJE13003DI3
History: GES5856 | 109T2 | 2SA1338-7 | 2N1377 | TIP122F | 16924 | MJE13003DI3



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor