2SA1358 - описание и поиск аналогов

 

2SA1358. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1358

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SA1358

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1358 даташит

 ..1. Size:178K  toshiba
2sa1358.pdfpdf_icon

2SA1358

 ..2. Size:196K  inchange semiconductor
2sa1358.pdfpdf_icon

2SA1358

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1358 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage V = -120V(Min) (BR)CEO Complement to Type 2SC3421 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collecto

 0.1. Size:222K  inchange semiconductor
2sa1358-z.pdfpdf_icon

2SA1358

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1358-Z DESCRIPTION With TO-252(DPAK) packaging Excellent linearity of h FE Low collector-to-emitter saturation voltage Fast switching speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMB

 8.1. Size:179K  toshiba
2sa1359.pdfpdf_icon

2SA1358

Другие транзисторы: 2SA1354, 2SA1355, 2SA1356, 2SA1356O, 2SA1356Y, 2SA1357, 2SA1357O, 2SA1357Y, BC639, 2SA1358O, 2SA1358Y, 2SA1359, 2SA1359O, 2SA1359Y, 2SA136, 2SA1360, 2SA1360O

 

 

 

 

↑ Back to Top
.