2SA1435. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SA1435
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 500
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для 2SA1435
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SA1435 даташит
2sa1435.pdf
Ordering number ENN1856A PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1435 High hFE, AF Amplifier Applications Applications Package Dimensions Low frequency general-purpose amplifiers, drivers, unit mm muting circuits. 2003B [2SA1435] Features 5.0 4.0 4.0 Adoption of MBIT process. High DC current gain (hFE=500 to 1200). Large current capacity. Low colletor-to-e
Другие транзисторы: 2SA1431, 2SA1431O, 2SA1431Y, 2SA1432, 2SA1432O, 2SA1432R, 2SA1433, 2SA1434, A1013, 2SA1436, 2SA1437, 2SA1438, 2SA144, 2SA1440, 2SA1441, 2SA1442, 2SA1443
History: 2SA1405 | 2SA1370E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet










