Справочник транзисторов. 2SA1579P

 

Биполярный транзистор 2SA1579P - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SA1579P

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82

Корпус транзистора: SOT89

Аналоги (замена) для 2SA1579P

 

 

2SA1579P Datasheet (PDF)

7.1. 2sa1579 2sa1514k 2sa1038s.pdf Size:75K _rohm

2SA1579P
2SA1579P

2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S Transistors High-voltage Amplifier Transistor (-120V, -50mA) 2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S External dimensions (Unit : mm) Features 1) High breakdown voltage. (BVCEO = -120V) 2SA15792) Complements the 2SC4102 / 2SC3906K / 2SC2389S. 1.252.10.1Min.Each lead has same dimensionsROHM : UMT3 (1) Emitter EIAJ : SC-70 (2) BaseJEDEC : SOT-

7.2. 2sa1579.pdf Size:155K _rohm

2SA1579P
2SA1579P

High-voltage Amplifier Transistor (120V, 50mA) 2SA1579 / 2SA1514K Features Dimensions (Units : mm) 1) High breakdown voltage. (BVCEO = 120V) 2SA15792) Complements the 2SC4102 / 2SC3906K Absolute maximum ratings (Ta=25C) 1.25Parameter Symbol Limits Unit2.1Collector-base voltage VCBO -120 VCollector-emitter voltage VCEO -120 V0.1Min.Emitter-base volt

 7.3. 2sa1579fra.pdf Size:1327K _rohm

2SA1579P
2SA1579P

2SA1579FRA / 2SA1514AK2SA1579 / 2SA1514KDatasheetPNP -50mA -120V High-Voltage Amplifier TransistorsAEC-Q101 QualifiedlOutline UMT3 SMT3Parameter ValueCollector CollectorVCEO-120VBase BaseIC-50mAEmitterEmitter2SA1514AK2SA1579FRA2SA1579SOT-346 (SC-59)lFeatures SOT-323 (SC-70)1) High Breakdown Voltage (BVCEO= -120V)2) Complementary NPN Types :2SC4102FR

7.4. 2sa1579.pdf Size:421K _secos

2SA1579P
2SA1579P

2SA1579 -0.05A , -120V PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-323FEATURES High Breakdown Voltage. (BVCEO = -120V) Complementary of the 2SC4102 AL33Top View C B11 2CLASSIFICATION OF hFE 2K EProduct-Rank 2SA1579-R 2SA1579-S DRange 180~390

 7.5. 2sa1579.pdf Size:289K _htsemi

2SA1579P
2SA1579P

2SA1 57 9TRANSISTOR(PNP)SOT-323 1. BASE FEATURES 2. EMITTER High breakdown voltage. (BVCEO = -120V) 3. COLLECTOR Complements the 2SC4102 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector- Base Voltage -120 V VCEO Collector-Emitter Voltage -120 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -50 mA PC

7.6. 2sa1579.pdf Size:231K _lge

2SA1579P
2SA1579P

2SA1579 SOT-323 Transistor(PNP)SOT-3231. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features High breakdown voltage. (BVCEO = -120V) Complements the 2SC4102 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsDimensions in inches and (millimeters)VCBO Collector- Base Voltage -120 V VCEO Collector-Emitter Voltage -120 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V I

7.7. 2sa1579.pdf Size:1085K _kexin

2SA1579P
2SA1579P

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SA1579 Features High breakdown voltage. (BVCEO = -120V) Complements the 2SC4102.1.Base2.Emitter3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -120 Collector - Emitter Voltage VCEO -120 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Current - Continuous IC -50 mA

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top