Биполярный транзистор 2SA1579Q - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1579Q
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT89
2SA1579Q Datasheet (PDF)
2sa1579fra.pdf
2SA1579 FRADatasheetHigh-voltage Amplifier Transistor (-120V, -50mA)AEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-323 Parameter Value SC-70 VCEO-120VIC-50mAUMT3lFeatures lInner circuitl l1)High breakdown voltage. (BVCEO=-120V)2)Complements the 2SC4102 FRA.lApplicationlHIGH VOLTAGE AMPLIFIERlPackaging specificationslBasic
2sa1579 2sa1514k 2sa1038s.pdf
2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038STransistorsHigh-voltage Amplifier Transistor(-120V, -50mA)2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S External dimensions (Units : mm) Features1) High breakdown voltage. (BVCEO = -120V)2SA15792) Complements the 2SC4102 / 2SC3906K / 2SC2389S.1.252.1 Absolute maximum ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Limits UnitCollector-base voltage VCBO -120 VCollec
2sa1579.pdf
High-voltage Amplifier Transistor (120V, 50mA) 2SA1579 / 2SA1514K Features Dimensions (Units : mm) 1) High breakdown voltage. (BVCEO = 120V) 2SA15792) Complements the 2SC4102 / 2SC3906K Absolute maximum ratings (Ta=25C) 1.25Parameter Symbol Limits Unit2.1Collector-base voltage VCBO -120 VCollector-emitter voltage VCEO -120 V0.1Min.Emitter-base volt
2sa1579.pdf
2SA1579 -0.05A , -120V PNP Silicon Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-323FEATURES High Breakdown Voltage. (BVCEO = -120V) Complementary of the 2SC4102 AL33Top View C B11 2CLASSIFICATION OF hFE 2K EProduct-Rank 2SA1579-R 2SA1579-S DRange 180~390
2sa1579.pdf
2SA1 57 9TRANSISTOR(PNP)SOT-323 1. BASE FEATURES 2. EMITTER High breakdown voltage. (BVCEO = -120V) 3. COLLECTOR Complements the 2SC4102 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector- Base Voltage -120 V VCEO Collector-Emitter Voltage -120 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -50 mA PC
2sa1579.pdf
2SA1579 SOT-323 Transistor(PNP)SOT-3231. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR Features High breakdown voltage. (BVCEO = -120V) Complements the 2SC4102 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsDimensions in inches and (millimeters)VCBO Collector- Base Voltage -120 V VCEO Collector-Emitter Voltage -120 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V I
2sa1579.pdf
SMD Type TransistorsPNP Transistors2SA1579 Features High breakdown voltage. (BVCEO = -120V) Complements the 2SC4102.1.Base2.Emitter3.Collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -120 Collector - Emitter Voltage VCEO -120 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Current - Continuous IC -50 mA
Другие транзисторы... 2SA1575D , 2SA1575E , 2SA1575F , 2SA1576 , 2SA1577 , 2SA1578 , 2SA1579N , 2SA1579P , 2N5551 , 2SA1579R , 2SA1579S , 2SA1580-3 , 2SA1580-4 , 2SA1580-5 , 2SA1581 , 2SA1582 , 2SA1583 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050