2SA1620. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SA1620
Маркировка: DO_DY
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: TO236
Аналоги (замена) для 2SA1620
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SA1620 даташит
2sa1620.pdf
2SA1620 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1620 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Complementary to 2SC4209 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -80 V Collector-emitter voltage VCEO -80 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -300 mA Base current IB -60
2sa1620.pdf
SMD Type Transistors PNP Transistors 2SA1620 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features Collector Current Capability IC=-300mA 1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=-80V +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 Complementary to 2SC4209 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collect
2sa1621.pdf
2SA1621 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1621 Audio Power Amplifier Applications Unit mm High hFE h = 100 320 FE Complementary to 2SC4210 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -35 V Collector-emitter voltage VCEO -30 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -
Другие транзисторы: 2SA1613, 2SA1614, 2SA1615, 2SA1616, 2SA1617, 2SA1618, 2SA1619, 2SA162, 2222A, 2SA1621, 2SA1622, 2SA1623, 2SA1624, 2SA1625, 2SA1626, 2SA1627, 2SA1628
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet











