2SA1626 - описание и поиск аналогов

 

2SA1626. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1626

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SP8

 Аналоги (замена) для 2SA1626

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1626 даташит

 ..1. Size:131K  nec
2sa1626.pdfpdf_icon

2SA1626

 8.1. Size:102K  1
2sa1623.pdfpdf_icon

2SA1626

 8.2. Size:184K  toshiba
2sa1620.pdfpdf_icon

2SA1626

2SA1620 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1620 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Complementary to 2SC4209 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -80 V Collector-emitter voltage VCEO -80 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -300 mA Base current IB -60

 8.3. Size:194K  toshiba
2sa1621.pdfpdf_icon

2SA1626

2SA1621 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1621 Audio Power Amplifier Applications Unit mm High hFE h = 100 320 FE Complementary to 2SC4210 Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO -35 V Collector-emitter voltage VCEO -30 V Emitter-base voltage VEBO -5 V Collector current IC -

Другие транзисторы: 2SA1619, 2SA162, 2SA1620, 2SA1621, 2SA1622, 2SA1623, 2SA1624, 2SA1625, BC549, 2SA1627, 2SA1628, 2SA1629, 2SA163, 2SA1630, 2SA1633, 2SA1634, 2SA1635

 

 

 

 

↑ Back to Top
.