Справочник транзисторов. 2SA1626

 

Биполярный транзистор 2SA1626 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1626
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: SP8
 

 Аналог (замена) для 2SA1626

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1626 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  nec
2sa1626.pdfpdf_icon

2SA1626

 8.1. Size:102K  1
2sa1623.pdfpdf_icon

2SA1626

 8.2. Size:184K  toshiba
2sa1620.pdfpdf_icon

2SA1626

2SA1620 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1620 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Complementary to 2SC4209 Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -80 VCollector-emitter voltage VCEO -80 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -300 mABase current IB -60

 8.3. Size:194K  toshiba
2sa1621.pdfpdf_icon

2SA1626

2SA1621 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) 2SA1621 Audio Power Amplifier Applications Unit: mm High hFE: h = 100~320 FE Complementary to 2SC4210 Maximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -35 VCollector-emitter voltage VCEO -30 VEmitter-base voltage VEBO -5 VCollector current IC -

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2N3817A | 2SC500

 

 
Back to Top

 


 
.