2SA1661 - описание и поиск аналогов

 

2SA1661. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1661

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SA1661

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1661 даташит

 ..1. Size:1499K  jiangsu
2sa1661.pdfpdf_icon

2SA1661

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L 2SA1661 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Small Flat Package High Current Application 3. EMITTER High Voltage High Transition Frequency MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -120 V

 ..2. Size:183K  htsemi
2sa1661.pdfpdf_icon

2SA1661

2SA1 661 SOT-89-3L TRANSISTOR(PNP) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Small Flat Package High Current Application 3. EMITTER High Voltage High Transition Frequency MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -120 V VCEO Collector-Emitter Voltage -120 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -0

 0.1. Size:625K  semtech
st2sa1661u.pdfpdf_icon

2SA1661

ST 2SA1661U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current application Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 ) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 120 V Collector Emitter Voltage -VCEO 120 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current -IC 800 mA Base Current -IB 160 mA 0.5 Ptot W Total Power Dissipation 1 1) Junction Temperature Tj 150

 8.1. Size:129K  sanyo
2sa1669.pdfpdf_icon

2SA1661

Ordering number EN2972 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1669 High-Frequency Amplifier Applications Features Package Dimensions High cutoff frequnecy fT=3.0GHz typ. unit mm High power gain MAG=11dB typ (f=0.9GHz) 2018A Small noise figure NF=2.0dB typ (f=0.9GHz) [2SA1669] C Collector B Base E Emitter SANYO CP Specifications Absolute Maximum Rati

Другие транзисторы: 2SA1654, 2SA1655, 2SA1656, 2SA1657, 2SA1658, 2SA1659, 2SA166, 2SA1660, C945, 2SA1662, 2SA1663, 2SA1664, 2SA1666, 2SA1667, 2SA1668, 2SA1669, 2SA167

 

 

 

 

↑ Back to Top
.