Справочник транзисторов. 2SA1661

 

Биполярный транзистор 2SA1661 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1661
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1661 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1499K  jiangsu
2sa1661.pdfpdf_icon

2SA1661

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors SOT-89-3L 2SA1661 TRANSISTOR (PNP) 1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Small Flat Package High Current Application 3. EMITTER High Voltage High Transition Frequency MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -120 V

 ..2. Size:183K  htsemi
2sa1661.pdfpdf_icon

2SA1661

2SA1 661SOT-89-3L TRANSISTOR(PNP)1. BASE FEATURES 2. COLLECTOR Small Flat Package High Current Application 3. EMITTER High Voltage High Transition Frequency MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitVCBO Collector-Base Voltage -120 V VCEO Collector-Emitter Voltage -120 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -0

 0.1. Size:625K  semtech
st2sa1661u.pdfpdf_icon

2SA1661

ST 2SA1661U PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for high current application Absolute Maximum Ratings (Ta = 25) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 120 VCollector Emitter Voltage -VCEO 120 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 VCollector Current -IC 800 mABase Current -IB 160 mA0.5 Ptot W Total Power Dissipation1 1) Junction Temperature Tj 150

 8.1. Size:129K  sanyo
2sa1669.pdfpdf_icon

2SA1661

Ordering number:EN2972PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA1669High-Frequency Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions High cutoff frequnecy : fT=3.0GHz typ.unit:mm High power gain : MAG=11dB typ (f=0.9GHz)2018A Small noise figure : NF=2.0dB typ (f=0.9GHz)[2SA1669]C : CollectorB : BaseE : EmitterSANYO : CPSpecificationsAbsolute Maximum Rati

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


 
.