Справочник транзисторов. 2SA1694O

 

Биполярный транзистор 2SA1694O Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1694O
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO3P
 

 Аналог (замена) для 2SA1694O

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1694O Datasheet (PDF)

 7.1. Size:174K  utc
2sa1694.pdfpdf_icon

2SA1694O

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA1694 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA1694 is a silicon PNP epitaxial planar transistor, it uses UTCs advanced technology to provide the customers withhigh DC current gain and high collector-base breakdown voltage, etc. The UTC 2SA1694 is suitable for audio and general purpo

 7.2. Size:193K  jmnic
2sa1694.pdfpdf_icon

2SA1694O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1694 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SC4467 APPLICATIONS Audio and general purpose PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 7.3. Size:27K  sanken-ele
2sa1694.pdfpdf_icon

2SA1694O

2SA1694Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC4467)Application : Audio and General PurposeExternal Dimensions MT-100(TO3P) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)RatingsSymbol Ratings Unit Symbol Conditions Unit0.24.80.415.6VCBO 120 V ICBO VCB=120V 10max A 0.19.6 2.010maxVCEO 120 V IEBO

 7.4. Size:221K  inchange semiconductor
2sa1694.pdfpdf_icon

2SA1694O

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1694DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = -120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEComplement to Type 2SC4467Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL

Другие транзисторы... 2SA169 , 2SA1690 , 2SA1692 , 2SA1693 , 2SA1693O , 2SA1693P , 2SA1693Y , 2SA1694 , 2SC1815 , 2SA1694P , 2SA1694Y , 2SA1695 , 2SA1695O , 2SA1695P , 2SA1695Y , 2SA1696 , 2SA1697 .

History: PDTC144EU | PDTA143XM | B834A-G | 2SC3789 | PMBT3904QA | RN1706JE | BC190A

 

 
Back to Top

 


 
.