2SA1815-5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA1815-5  📄📄 

Маркировка: JS5

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 700 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA1815-5

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1815-5 даташит

 7.1. Size:70K  sanyo
2sa1815.pdfpdf_icon

2SA1815-5

Ordering number EN4625 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1815 FM, RF, MIX, IF Amplifier, High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features Package Dimensions High power gain PG=25dB (f=100MHz). unit mm High cutoff frequency ; fT=750MHz typ. 2018A Low collector-to-emitter saturation voltage. [2SA1815] Complementary pair with the 2SC4432. C C

 7.2. Size:903K  kexin
2sa1815.pdfpdf_icon

2SA1815-5

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SA1815 SOT-23 Unit mm 2.9+0.1 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 High power gain PG=25dB (f=100MHz). High cutoff frequency ; fT=750MHz typ. Low collector-to-emitter saturation voltage. 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 Complementary pair with the 2SC4432. 1.9+0.1 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Max

 8.1. Size:173K  toshiba
2sa1811.pdfpdf_icon

2SA1815-5

 8.2. Size:84K  sanyo
2sa1814.pdfpdf_icon

2SA1815-5

Ordering number EN3973 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA1814 Low-Frequency General-Purpose Amplifier Driver, Muting Circuit Applications Features Package Dimensions Very small-sized package permitting 2SA1814- unit mm applied sets to be made smaller and slimmer. 2018B Adoption of FBET process. [2SA1814] High DC current gain (hFE=500 to 1200). Low collector

Другие транзисторы: 2SA181, 2SA1810, 2SA1810B, 2SA1810C, 2SA1811, 2SA1815, 2SA1815-3, 2SA1815-4, 2SC2625, 2SA182, 2SA1822, 2SA183, 2SA1832, 2SA1837, 2SA184, 2SA1856, 2SA1857