2SA496R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA496R  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA496R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA496R даташит

 8.1. Size:94K  toshiba
 2sa496 2sa505.pdf pdf_icon

2SA496R

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.2. Size:217K  inchange semiconductor
 2sa496.pdf pdf_icon

2SA496R

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA496 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -30V (Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -0.8V (Max.)@ I = -500mA CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

 9.1. Size:87K  toshiba
 2sa490.pdf pdf_icon

2SA496R

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.2. Size:42K  no
 2sa497.pdf pdf_icon

2SA496R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA495GO, 2SA495GR, 2SA495GY, 2SA495O, 2SA495R, 2SA495Y, 2SA496, 2SA496O, BD135, 2SA496Y, 2SA497, 2SA498, 2SA499, 2SA499O, 2SA499R, 2SA499Y, 2SA50