2SA499O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA499O

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2SA499O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA499O даташит

 9.1. Size:94K  toshiba
2sa496 2sa505.pdfpdf_icon

2SA499O

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.2. Size:87K  toshiba
2sa490.pdfpdf_icon

2SA499O

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 9.3. Size:42K  no
2sa497.pdfpdf_icon

2SA499O

 9.4. Size:159K  jmnic
2sa490.pdfpdf_icon

2SA499O

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA490 DESCRIPTION With TO-220 package Complement to type 2SC790 APPLICATIONS For power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-220) and symbol 3 Base Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE

Другие транзисторы: 2SA495Y, 2SA496, 2SA496O, 2SA496R, 2SA496Y, 2SA497, 2SA498, 2SA499, S9013, 2SA499R, 2SA499Y, 2SA50, 2SA500, 2SA500O, 2SA500R, 2SA500Y, 2SA501