2SA60 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SA60
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.055 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.005 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: TO44
Аналоги (замена) для 2SA60
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SA60 даташит
2sa608n 2sc536n.pdf
Ordering number ENN6324A 2SA608N / 2SC536N PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA608N / 2SC536N Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions Capable of being used in the low frequency to high unit mm frequency range. 2205 [2SA608N / 2SC536N] 4.5 Features 3.7 3.5 Large current capacity and wide ASO. 0.5 0.45 0.44 1
2sa608 2sc536n.pdf
Ordering number ENN6324 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA608N/2SC536N Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications Package Dimensions Capable of being used in the low frequency to high unit mm frequency range. 2164 [2SA608N/2SC536N] 4.5 Features 3.7 3.5 Large current capacity and wide ASO. 0.45 0.5 1.27 0.45 0.44 1 2 3 1 Emitter
Другие транзисторы: 2SA580, 2SA581, 2SA59, 2SA594, 2SA594O, 2SA594R, 2SA594Y, 2SA597, 2N2222, 2SA603, 2SA604, 2SA605, 2SA606, 2SA606S, 2SA607, 2SA607S, 2SA608
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet









