2SA621 - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2SA621
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO39
Аналоги (замена) для 2SA621
2SA621 - технические параметры
2sa626.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA626 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation High current capability IC=-6A APPLICATIONS For audio frequency output applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER
2sa627.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA627 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation High current capability IC=-7A APPLICATIONS For audio frequency output applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER
2sa626.pdf
isc Silicon PNP Power Transistors 2SA626 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -70V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = -1.5V(Max.)@ I = -5A CE(sat) C Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio frequency power amplifier and low speed switching Suitable f
2sa627.pdf
isc Silicon PNP Power Transistors 2SA627 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = -1.5V(Max.)@ I = -5A CE(sat) C Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio frequency power amplifier and low speed switching Suitable f
Другие транзисторы... 2SA614 , 2SA615 , 2SA616 , 2SA617 , 2SA617K , 2SA618 , 2SA618K , 2SA620 , S9014 , 2SA622 , 2SA623 , 2SA624 , 2SA625 , 2SA626 , 2SA627 , 2SA628 , 2SA628A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet | kep40n26



