Биполярный транзистор 2SA627
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA627
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора:
TO3
Аналоги (замена) для 2SA627
2SA627
Datasheet (PDF)
..1. Size:145K jmnic
2sa627.pdf JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA627 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation High current capability:IC=-7A APPLICATIONS For audio frequency output applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER
..2. Size:215K inchange semiconductor
2sa627.pdf isc Silicon PNP Power Transistors 2SA627DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.5V(Max.)@ I = -5ACE(sat) CGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifier and low speed switchingSuitable f
9.1. Size:145K jmnic
2sa626.pdf JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA626 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation High current capability:IC=-6A APPLICATIONS For audio frequency output applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBOL PARAMETER
9.2. Size:212K inchange semiconductor
2sa626.pdf isc Silicon PNP Power Transistors 2SA626DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -70V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = -1.5V(Max.)@ I = -5ACE(sat) CGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio frequency power amplifier and low speed switchingSuitable f
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.