2SA634Z datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA634Z

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для 2SA634Z

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA634Z даташит

 8.1. Size:47K  no
2sa634.pdfpdf_icon

2SA634Z

 8.2. Size:122K  jmnic
2sa634.pdfpdf_icon

2SA634Z

Power Transistors www.jmnic.com 2SA634 Silicon PNP Transistors B C E Features With TO-220 package Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNIT VCBO Collector to base voltage 40 V VCEO Collector to emitter voltage 40 V VEBO Emitter to base voltage 5.0 V IB Base collector current A IC Collector current 3.0 A PC Collector power dissipation 10 W Tj Ju

 8.3. Size:146K  inchange semiconductor
2sa634.pdfpdf_icon

2SA634Z

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA634 DESCRIPTION With TO-202 package Complement to type 2SC1096 High current capability APPLICATIONS Audio frequency power amplifier Low speed switching PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector Fig.1 simplified outline (TO-202) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratin

Другие транзисторы: 2SA627, 2SA628, 2SA628A, 2SA629, 2SA631, 2SA633, 2SA634, 2SA634L, 8050, 2SA635, 2SA636, 2SA636A, 2SA636L, 2SA636Z, 2SA637, 2SA638, 2SA638S