2SA66 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA66

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2SA66

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA66 даташит

 0.1. Size:50K  1
 2sa661.pdf pdf_icon

2SA66

 0.2. Size:145K  jmnic
 2sa663.pdf pdf_icon

2SA66

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA663 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC793 APPLICATIONS For radio frequency,audio frequency and power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(

 0.3. Size:198K  inchange semiconductor
 2sa663.pdf pdf_icon

2SA66

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA663 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -2.3V(Max.)@ I = -5A CE(sat) C Complement to Type 2SC793 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

Другие транзисторы: 2SA656, 2SA656A, 2SA657, 2SA657A, 2SA658, 2SA658A, 2SA659, 2SA659NP, TIP142, 2SA661, 2SA663, 2SA666, 2SA666A, 2SA668, 2SA669, 2SA67, 2SA670