2SA666 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA666

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SA666

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA666 даташит

 9.1. Size:50K  1
 2sa661.pdf pdf_icon

2SA666

 9.2. Size:145K  jmnic
 2sa663.pdf pdf_icon

2SA666

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA663 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC793 APPLICATIONS For radio frequency,audio frequency and power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(

 9.3. Size:198K  inchange semiconductor
 2sa663.pdf pdf_icon

2SA666

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA663 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -80V(Min.) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = -2.3V(Max.)@ I = -5A CE(sat) C Complement to Type 2SC793 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

Другие транзисторы: 2SA657A, 2SA658, 2SA658A, 2SA659, 2SA659NP, 2SA66, 2SA661, 2SA663, 2SC828, 2SA666A, 2SA668, 2SA669, 2SA67, 2SA670, 2SA671, 2SA671A, 2SA671B