Справочник транзисторов. 2SA666A

 

Биполярный транзистор 2SA666A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA666A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 2SA666A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA666A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:50K  1
 2sa661.pdf pdf_icon

2SA666A

 9.2. Size:145K  jmnic
 2sa663.pdf pdf_icon

2SA666A

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA663 DESCRIPTION With TO-3 package Wide area of safe operation Complement to type 2SC793 APPLICATIONS For radio frequency,audio frequency and power amplifier applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol3 CollectorAbsolute maximum ratings(

 9.3. Size:198K  inchange semiconductor
 2sa663.pdf pdf_icon

2SA666A

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA663DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -80V(Min.)(BR)CEOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = -2.3V(Max.)@ I = -5ACE(sat) CComplement to Type 2SC793Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RAT

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: TIX813 | CSA562Y | 2SC1894 | PDTA114YE

 

 
Back to Top

 


 
.