Справочник транзисторов. 2SA715B

 

Биполярный транзистор 2SA715B - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SA715B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SA715B

 

 

2SA715B Datasheet (PDF)

 8.1. Size:29K  hitachi
2sa715.pdf

2SA715B
2SA715B

2SA715Silicon PNP EpitaxialApplicationLow frequency power amplifier complementary pair with 2SC1162OutlineTO-126 MOD1. Emitter2. Collector3. Base123Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Rating UnitCollector to base voltage VCBO 35 VCollector to emitter voltage VCEO 35 VEmitter to base voltage VEBO 5 VCollector current IC 2.5 ACollector

 8.2. Size:188K  jmnic
2sa715.pdf

2SA715B
2SA715B

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA715 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SC1162 APPLICATIONS Low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute Maximun Ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base volta

 8.3. Size:548K  blue-rocket-elect
2sa715f.pdf

2SA715B
2SA715B

2SA715F(BR3CA715QF) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126F PNP Silicon PNP transistor in a TO-126F Plastic Package. / Features 2SC1162F(BR3DA1162QF) Complementary pair with 2SC1162F(BR3DA1162QF). / Applications Low frequency power amplifier applications.

 8.4. Size:197K  inchange semiconductor
2sa715.pdf

2SA715B
2SA715B

isc Silicon PNP Power Transistor 2SA715DESCRIPTIONGood Linearity of hFECollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -35V (Min)(BR)CEOComplement to Type 2SC1162Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in low frequency power amplifierapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top