Биполярный транзистор 2SA715D
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA715D
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора:
TO126
Аналоги (замена) для 2SA715D
2SA715D
Datasheet (PDF)
8.1. Size:29K hitachi
2sa715.pdf 2SA715Silicon PNP EpitaxialApplicationLow frequency power amplifier complementary pair with 2SC1162OutlineTO-126 MOD1. Emitter2. Collector3. Base123Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Rating UnitCollector to base voltage VCBO 35 VCollector to emitter voltage VCEO 35 VEmitter to base voltage VEBO 5 VCollector current IC 2.5 ACollector
8.2. Size:188K jmnic
2sa715.pdf JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA715 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SC1162 APPLICATIONS Low frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 BaseAbsolute Maximun Ratings (Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base volta
8.3. Size:548K blue-rocket-elect
2sa715f.pdf 2SA715F(BR3CA715QF) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-126F PNP Silicon PNP transistor in a TO-126F Plastic Package. / Features 2SC1162F(BR3DA1162QF) Complementary pair with 2SC1162F(BR3DA1162QF). / Applications Low frequency power amplifier applications.
8.4. Size:197K inchange semiconductor
2sa715.pdf isc Silicon PNP Power Transistor 2SA715DESCRIPTIONGood Linearity of hFECollector-Emitter Breakdown Voltage-V = -35V (Min)(BR)CEOComplement to Type 2SC1162Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in low frequency power amplifierapplications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)SYMBOL PARAMETER
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.